ВПЛИВ РАДІАЦІЇ НА ТЕРМОЧУТЛИВІСТЬ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ

Анотація

Досліджено вплив концентрації домішки, яка задає тип провідності каналу на радіаційну стійкість детекторів на основі польових транзисторів. Виміряно залежності струму насичення стоку транзисторів з керівним p-n-переходом від величини потоків електронів, нейтронів і γ -квантів. Отримано, що деградація струму насичення стоку транзисторів з керівним p-n-переходом під впливом нейтронів починається з потоками майже на два порядки менших, ніж під впливом електронів. Опромінення призводить не лише до зростання термочутливості детекторів у 2...5 разів, але і до зменшення розкиду її значень серед різних зразків. Деградація характеристик польових МДН- транзисторів з вбудованим каналом починається з потоками опромінення на два порядки менших, ніж деградація транзисторів з керівним p-n-переходом. Дія малими дозами g-квантів не зменшує розкид параметрів МДП-транзисторів, а g-опромінення значними експозиційними дозами призводить до поліпшення відтворюваності струму насичення стоку і термочутливості польових МДП-транзисторів.