ЗБІЛЬШЕННЯ ЧУТЛИВОСТІ ФОТОРЕЗИСТОРІВ У МАГНІТНОМУ ПОЛІ

Анотація

Розглядаються можливості та фізичні принципи збільшення чутливості фоторезисторів. Надані основні теоретичні співвідношення, що визначають їх параметри. Показано, що основним шляхом збільшення чутливості фоторезисторів є збільшення рухливості та ефективного часу життя генерованих світлом носіїв заряду. Розміщення фоторезистора в магнітне поле, направлене перпендикулярно електричному струму та світловому потоку, збільшує фоточутливість у декілька разів.