ВПЛИВ РАДІАЦІЇ НА ТЕРМОЧУТЛИВІСТЬ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

Анотація

Досліджено вплив ефективної концентрації домішки, яка задає тип провідності базової області і товщини бази на радіаційну стійкість транзисторних термодавачів. В якості термочутливого параметра біполярного транзистора обрано пряме падіння напруги на емітерному переході. Було отримано залежності прямого падіння напруги на емітерному переході транзистора і коефіцієнта підсилення за струмом від величини потоків електронів, нейтронів та -квантів. Отримано, що деградація прямого падіння напруги під впливом іонізуючого опромінення починається при дозах майже на два порядки вище, ніж коефіцієнта посилення за струмом, залежно від конструктивних особливостей транзистора. Після відпалу опромінених потоком електронів структур спостерігається значне поліпшення відтворюваності термочутливого параметра (падіння напруги на прямозміщеному емітерному p-n-переході), що підвищує відсоток виходу придатних приладів.