ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Аннотация

Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного транзистора выбрано прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины потоков электронов, нейтронов и -квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на два порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра (падения напряжения на прямосмещенном эмиттерном p-n–переходе), что повышает процент выхода годных приборов.