ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ GaAsP

Анотація

Проведено дослідження глибоких рівнів у p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Показано, що суттєвий розклад  ефективності досліджених світлодіодів обумовлений відмінністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що основним параметром, що визначає ефективність роботи світловипромінюючого діода, є його внутрішній квантовий вихід, який пов'язаний із імовірністю випромінювальних та безвипромінювальних переходів. Вони, у свою чергу, пов’язані з глибокими рівнями, обумовленими різного виду дефектами. Визначені енергії іонізації низки глибоких рівнів у збідненому шарі p-n-переходів з використанням методу термостимульованих струмів (ТСС).  Показано, що існування таких рівнів може привести до суттєвого підвищення послідовного опору світлодіода, що, у свою чергу, призведе до зниження ККД та додатковому розігріву діода. Описана структура та параметри досліджуваних зразків. Із дослідження вольтфарадних характеристик отримані дані про розподіл домішок у p-n-переходах світловипромінюючих  діодів на основі GaAsP. Описана використана установка для визначення ТСС. Надані результати розрахунків глибоких домішкових рівнів та їх концентрації за кривими ТСС для різноманітних світлодіодів на основі GaAsP.