ГЛУБОКИЕ УРОВНИ В P-N-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAsP

Аннотация

Проведено исследование глубоких уровней в p-n-структурах на основе твердого раствора GaAsP. Показано, что существенный разброс эффективности исследованных светодиодов обусловлен различием состава GaAsP в активной области. Определено, что основным параметром, определяющим эффективность работы светоизлучающего диода, является его внутренний квантовый выход, который связан с вероятностью излучательных и безызлучательных переходов. Они, в свою очередь, связаны с глубокими уровнями, обусловленными различного вида дефектами. Определены энергии ионизации ряда глубоких уровней в обедненном слое p-n-переходов с использованием метода термостимулированных токов (ТСТ). Показано, что наличие таких уровней может привести к существенному повышению последовательного сопротивления светодиода, что, в свою очередь, приведет к снижению КПД и дополнительному разогреву диода. Описана структура и параметры исследованных образцов. По измерению вольтфарадных характеристик получены сведения о распределении примесей в p-n-переходах светоизлучающих диодов на основе  GaAsP. Описана использованная установка для определения ТСТ. Приведены результаты расчетов глубоких примесных уровней и их концентрации по кривым ТСТ для различных светодиодов на основе GaAsP.