ВПЛИВ РУХУ ДОМІШКОВИХ ІОНІВ НА СТАБІЛЬНІСТЬ СВІТЛОДІОДІВ

Анотація

Анотація. Вивчено вплив руху домішкових центрів на стабільність світловипромінюючих
діодів на основі GaInAsP та на їх ефективність. Стабільність та ефективність електролюмінесценції
світлодіодів в основному визначається співвідношенням між інтенсивностями випромінювальної і
безвипромінювальної рекомбінації носіїв заряду. Досліджувалися електролюмінесцентні та
електричні характеристики світлодіодів. Для з'ясування механізму деградації світлодіодів
досліджувався вплив струмового тренування їх протягом 3000 год. при різних густинах струму на їх
стабільність, ефективність і на електричні характеристики. Показано, що деградація світлодіодів
при низьких рівнях інжекції пов'язана із дрейфом домішкових центрів поблизу неоднородностей р -п -
переходів. Показано, що в процесі деградації світлодіодів величина випромінювальної компоненти струму при фіксованій напрузі змінюється мало. В той самий час безвипромінювальні компоненти
струму суттєво зростають. Встановлено, що зростання безвипромінювальних компонент струму
пов'язане із дрейфом рухливих домішок до неоднородностей р-л-переходу. Розрахована кінетика
деградації світлодіодів із застосуванням певних допусків. Проведено оцінку коефіцієнта дифузії
іонів, що відповідають за деградацію діодів. Показано, що "раптові" відмови світлодіодів мають ту
саму природу, що і поступова їх деградація. Вони можуть відбуватися при досить високій
концентрації рухливої домішки. Отримані залежності інтенсивності випромінювання від тривалості
деградації можна використовувати для оцінки коефіцієнта дифузії рухливих домішок.