МЕТОДИ ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНИХ СТРУМІВ ДЛЯ ДОСЛІДЖЕННЯ ДОМІШКОВИХ ЦЕНТРІВ У СВІТЛОДІОДАХ

Анотація

Анотація. Досліджені домішкові центри у світлодіодах на основі Gai-xAlxAs для волоконно-
оптичних ліній зв’язку методом термостимульованих струмів. З’ясовуються причини деградації таких
діодів. Описується установка для проведення досліджень методом термостимульованих струмів.
Надано сутність даного методу та можливість його використання у р-п-переходах на основі GaAlAs.
Показано криві залежності термостимульованих струмів від температури при різноманітних
швидкостях нагрівання. Проведено дослідження деградації світловипромінюючих діодів при їх
живленні імпульсами струму до 10 А, тривалістю 100 нс та частотою 300 Гц, а також при 50 мА, 20 мА
та температурі 800С. Виявлено наявність зв’язку в процесі деградації світлодіодів зі зростанням
концентрації домішкових центрів. По кривих термостимульованих струмів знайдені концентрації
домішкових центрів до та після деградації світлодіодів. Показано, що основною причиною зміни
електричних характеристик р-п-переходів досліджених зразків при пропусканні прямого струму є
накопичення домішкових центрів.