РАДІАЦІЙНА ДЕГРАДАЦІЯ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧИХ ДІОДІВ ІЗ ПЕРЕВИПРОМІНЮВАННЯМ ФОТОНІВ

Анотація

Проведено дослідження радіаційної деградації світловипромінюючих діодів із перевипромінюванням фотонів на основі GaAlAs під дією g-випромінювання Co60. Особливості механізму генерації фотонів у даних світлодіодах приводять до особливостей радіаційної деградації даних структур. Опромінювання відносно невеликими дозами g-випромінювання Co60 дає можливість неконтрольовано вводити безвипромінювальні центри рекомбінації в активну область світлодіодів та інші шари, що беруть участь в процесах генерації та виводу фотонів. Дослідження характеристик в таких світлодіодах при радіаційній деградації необхідно для прогнозування зміни їх параметрів при неконтрольованих варіаціях концентрації указаних центрів у процесі виготовлення даних структур. Вивчені залежності інтенсивності короткохвильової та довгохвильової смуг оптичних спектрів випромінювання від інтегрального потоку g-квантів. Виявлено, що інтенсивність короткохвильової смуги оптичних спектрів таких діодів від потоку g-квантів відповідає зменшенню безвипромінювального часу життя електронів. Показано, що швидкість зменшення довгохвильової смуги під дією g-випромінювання значно вища, ніж короткохвильової. Отримано, що зміною оптичних втрат під дією радіації у світлодіодах із перевипромінюванням фотонів можна знехтувати. Використання таких діодів дозволяє розділити деградаційні процеси.