СТРУМОВЕ КЕРУВАННЯ СПЕКТРОМ СВІТЛОДІОДА

Анотація

Проведено короткий огляд існуючих типів світлодіодів з керованим спектром випромінювання. Запропонована конструкція світлодіода на арсеніді галія з асиметричним профілем легування типу р+-n-структури. Для отримання реального розділення спектральних смуг використано легування р+-області кремнієм, який створює акцепторний рівень з енергією активації 100 меВ. Описаний спосіб створення р+-n-структури. Показано, що світлодіод випромінює у двох смугах спектра з енергіями максимумів 1,33 еВ та 1,42 еВ. Співвідношення інтенсивностей спектральних смуг змінюється у 7 разів при зміні густини імпульсного струму від 80А/см2 до 500А/см2. Розглянуто фізичний механізм, який приводить до таких властивостей світлодіода.