ВИПРОМІНЮВАЛЬНА РЕКОМБІНАЦІЯ У СЛАБО ВИРОДЖЕНОМУ n-GaAs

Анотація

Виміряні спектри крайової люмінесценції арсеніду галію (GaAs) слабо легованого p- і n-типу в інтервалі температур 77...300 К. З'ясовані типи випромінювальних переходів та їх залежності від ступеня легування матеріалу і температури. Встановлено критерій зникнення донорних енергетичних рівнів унаслідок дебаєвського екранування домішок. Проведено порівняння спектрів фотолюмінесценції зі спектрами електролюмінесценції асиметричного p+-n-переходу у режимі сильної інжекції в n-області. Показана особлива роль дрібних донорних станів у випромінювальній рекомбінації в невиродженому і слабо виродженому n-GaAs.