Мостові датчики на основі польових транзисторів

Abstract

Розглянуто можливість використання польових транзисторів у мостових датчиках магнітного поля, температури та світла. Показано, що максимальна чутливість досягається в мостових схемах датчиків, де в якості всіх чотирьох елементів в плечах моста використовуються польові транзистори, причому в одній парі транзисторів струм збільшується зі зростанням вимірюваної величини, а в іншій – зменшується.