ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Аннотация

Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и γ-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2...5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами g-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а γ-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП- транзисторов.