ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В СЛАБО ВЫРОЖДЕННОМ n-GaAs

Аннотация

Измерены спектры краевой люминесценции арсенида галлия (GaAs) слабо легированного p- и n-типа в интервале температур 77…300 К. Выяснены типы излучательных переходов и их зависимости от степени легирования материала и температуры. Установлен критерий исчезновения донорных энергетических уровней вследствие дебаевского экранирования примесей. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции со спектрами электролюминесценции асимметричного p+-n-перехода в режиме сильной инжекции в n-области. Показана особая роль мелких донорных состояний в излучательной рекомбинации в невырожденном и слабо вырожденном n-GaAs.