ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДОЗИМЕТРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ И ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Аннотация

Экспериментально исследована возможность создания датчика радиации на основе измерительного моста из четырех полевых транзисторов. Использование в качестве сенсорных элементов полевых транзисторов позволяет увеличить чувствительность датчика, а мостовая схема их включения снижает уровень шумов до минимума. Комбинация четырех полевых транзисторов, два из которых с положительным знаком радиационной чувствительности, а два других с отрицательным, позволяет на порядок увеличить зависимость выходного напряжения в диагонали моста датчика от интенсивности облучения. Для улучшения помехозащищенности полезного сигнала при его дальнейшем усилении и устранения промежуточных АЦП при сопряжении датчика с цифровыми системами обработки информации в качестве датчика был использован генератор релаксационных колебаний на основе однопереходного транзистора с полевым транзистором в цепи эмиттера. Выходным параметром такого датчика является частота переменного сигнала в зависимости от интенсивности облучения.