Властивості планарних транзисторних термодавачів при дії радіації

Abstract

Досліджено залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта посилення β від величини потоків електронів, нейтронів і γ-квантів, а також вплив ефективної концентрації типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодавачів. Вивчався вплив відпалу опромінених структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1,5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення, Ступінь деградації U і β залежить від конструктивно-технологічних параметрів транзисторів.