Глибокі домішкові рівні у світловипромінюючих діодах для ВОСП

Abstract

Вивчено вплив глибоких домішкових центрів в p-n-переходах на основі GaAlАs на ефективність електролюмінісценції. Досліджувались термостимульовані струми при різноманітних швидкостях нагріву p-n-переходів. Виявлено зростання домішкових рівнів в процесі деградації, що призводить до зміни електричних характеристик p-n-переходів.