Ефективність електролюмінісценції в p-n-переходах на основі GaAsP з урахуванням впливу глибоких рекомбінаційних центрів

Abstract

Проведено дослідження впливу глибоких рекомбінаційних центрів у p-n-переходах на основі GaAsP на ефективність електролюмінесценції. Показано шляхи її підвищення для таких світлодіодів.